买卖IC网 >> 产品目录 >> BLA6G1011L-200RG,1 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BLA6G1011L-200RG,1

库存数量：可订货
制造商：NXP Semiconductors
描述：射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
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制造商 NXP Semiconductors
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 1.03 GHz to 1.09 GHz
增益 20 dB
输出功率 200 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 49 A
闸/源击穿电压 13 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 SOT-502D
封装 Tube
相关资料
属性
链接
代理商 BLA6G1011L-200RG,1
BLA6G1011LS-200RG,
BLA6H0912-500
BLA6H0912-500,112
BLA6H0912L-1000U
BLA6H0912LS-1000U
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公司名
电话
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深圳市中平科技有限公司 0755-83946385 赖先生
  • BLA6G1011L-200RG,1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    45 451.812 20331.54
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